الصفحة الرئيسية
عن الكلية
عمادة الكلية
كلمة عميد الكلية
نبذة عن العمادة
العمداء السابقون
وكالات الكلية
وكالة الكلية
كلمة وكيل الكلية
نبذة عن وكالة الكلية
وكالة الكلية للدراسات العليا
كلمة وكيل الكلية للدراسات العليا
نبذة عن وكالة الكلية للدراسات العليا
الأنشطة العلمية
وحدة ريادة الأعمال
وحدة الجودة والتطوير
شعبة الإعتماد الأكاديمي
شعبة الجودة
شعبة القياس والتقويم
شعبة التدريب وتطوير الموارد البشرية
وكالة الكلية (شطر الطالبات)
إدارة الكلية
كلمة مدير الإدارة
كلمة مديرة الإدارة
إدارة الكلية شطر الطلاب
إدارة الكلية شطر الطالبات
الخطة الاستراتيجية
الشؤون التعليمية
مواقع التدريب التفاعلي
البحث العلمي
الأبحاث
مجلة كلية العلوم
تواصل معنا
الملفات
عربي
English
عن الجامعة
القبول
الأكاديمية
البحث والإبتكار
الحياة الجامعية
الخدمات الإلكترونية
صفحة البحث
كلية العلوم
تفاصيل الوثيقة
نوع الوثيقة
:
مقال في مجلة دورية
عنوان الوثيقة
:
Synthesis of CdZnO thin film as a potential candidate for optical switches
Synthesis of CdZnO thin film as a potential candidate for optical switches
الموضوع
:
فيزياء
لغة الوثيقة
:
الانجليزية
المستخلص
:
Cadmium doped zinc oxide thin films have been prepared using a thermal decomposition technique. The influence of Cd as a doping agent on the structure, optical and nonlinear optical properties was carefully investigated using X-ray diffraction (XRD), scanning electron microscopy (SEM) and a UV-vis spectrophotometer. A deep correlation has been found between the surface roughness and the optical properties. The roughness is found to deteriorate the nonlinear response, such that the highest nonlinear susceptibility χ(3) is obtained for the smoothest layer. The third-order nonlinear susceptibility χ(3) has been calculated using the Frumer model, and is estimated to be 3.37×10-10 esu. The dispersion of the refractive index of the prepared thin film is shown to follow the single electronic oscillator model. From the model, the values of oscillator strength (Ed), oscillator energy (Eo) and dielectric constant (ε{lunate}∞) have been determined. The conductivity has been measured as a function of the energy of the photons, revealing marginal change at energies below 3.15 eV, while above this value there is a large increase in the conductivity. This suggests that CdZnO is a potential candidate for applications in optical devices such as optical limiter and optical switching.
ردمد
:
0030-3992
اسم الدورية
:
Optics and Laser Technology
المجلد
:
42
العدد
:
7
سنة النشر
:
1431 هـ
2010 م
نوع المقالة
:
مقالة علمية
تاريخ الاضافة على الموقع
:
Monday, October 17, 2011
الباحثون
اسم الباحث (عربي)
اسم الباحث (انجليزي)
نوع الباحث
المرتبة العلمية
البريد الالكتروني
وليد السيد محمود
Mahmoud, Waleed E
باحث
دكتوراه
w_e_mahmoud@yahoo.com
أحمد عبدالله الغامدي
Al-Ghamdi, A A
باحث
دكتوراه
AGAMDI@kau.edu.sa
الملفات
اسم الملف
النوع
الوصف
31058.pdf
pdf
Abstract
الرجوع إلى صفحة الأبحاث